военного времени уже не были теми неуклюжими галеновыми детекторами с контактной пружиной 1920- и 1930-х годов, а представляли собой новые герметизированные устройства. Наиболее широкое применение в них получили германиевые кристаллы. Какое-то время исследования полупроводниковых детекторов было развернуто в пятидесяти лабораторий США. Большинство из них свои работы свернули, остались две, и вот в одной-то из них и родился транзистор.
В короткий срок полупроводниковые приборы начали все заметнее теснить приемо — усилительные лампы. Нужно было еще раз начинать создание новой промышленности.
В нашей стране исследования полупроводниковых детекторов в интересах радиолокации были начаты в ЦНИИ-108. Чтобы обеспечить качественное и количественное развитие полупроводниковой электроники, необходимо было привлечь к участию организации АН СССР, где трудами А. Ф. Иоффе и его школы в конце сороковых годов были достигнуты успехи в физике и теории полупроводников, министерства цветной металлургии, химической промышленности и др. и координировать их совместную работу. Началось развитие промышленности по производству редких и редкоземельных металлов, полупроводниковых материалов. Головным предприятием в этой области был институт Гиредмет Минцветмета, чьим научным руководителем почти тридцать лет был Н. П. Сажин. Многим отечественная электроника обязана Гиредмету. С этим институтом связано решение таких проблем электроники, как освоение производства монокристаллов германия, создание методов переработки сурьмяных и висмутовых руд, производство титана, циркония и ниобия, применение в производстве редких металлов электроннолучевой плазменной плавки. Большой вклад в разработку технологии получения и в освоение производства полупроводниковых материалов Физико-технический институт и ИРЭ Академии Наук.
В ЦНИИ-108 также велись исследования в области усиления сигнала в полупроводниковых устройств, но, к сожалению, наблюдавшийся С. Г. Калашниковым и Н. А. Пениным эффект не получил должного объяснения, открытие не состоялось, и первый в нашей стране образец точечного германиевого транзистора был создан в 1949 году.
Для решения задач быстрейшего освоения и внедрения в промышленность технологии полупроводниковых приборов, разработки соответствующего оборудования и т. д. в 1953 году в Москве был создан НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35, нынешний НИИ 'Пульсар'), где в лаборатории А. В. Красилова были изготовлены первые в СССР плоскостные транзисторы, ставшие основой для серийных приборов типа П1, П2, ПЗ и их дальнейших модификаций. Работы этой лаборатории создали базу для дальнейшего развития транзисторной технологии в институте.
Транзисторное направление в НИИ-35, возглавляемое Я. А. Федотовым какое-то время продолжало интенсивно развиваться и в лаборатории С. Г. Калашникова в ЦНИИ-108. Оба института активно сотрудничали, в частности в решении проблемы повышения выходной мощности и рабочих частот транзисторов, и в результате родилась идея нового технологического процесса 'сплавления-диффузии', на основе которой появились серийные транзисторы П401 — П403 и П410, П411. Но в 1953 году А.И. Берг создал в системе Академии Наук СССР новый Институт радиоэлектроники, который сам же и возглавил и куда перешли сотрудники, занимавшиеся полупроводниковыми проблемами, а в ЦНИИ-108 это направление было свернуто — нужно было сосредоточиться на комплексных проблемах.
К середине пятидесятых производство первых маломощных ВЧ транзисторов для приемной техники было освоено, и в течение 1957 года, с которого можно исчислять начало промышленного выпуска полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) в СССР, было выпущено уже 24 миллиона полупроводниковых приборов, в том числе 2,7 млн. транзисторов. Этого внушительного, казалось бы, количества полупроводниковых приборов было мало. В том же году в США было выпущено уже 28 млн. транзисторов. Нужно было разворачивать в стране целую сеть новых НИИ, КБ и заводов.
После возвращения А.И. из США была поставлена задача воспроизвести собственными силами этот маленький транзисторный радиоприемник. МРТП, как мы видели, уже располагало возможностями для ее решения, и где-то через год отечественный образец приемника появился на свет. На нем было написано 'Фестиваль' в честь проходившего в Москве летом 1957 года Всемирного фестиваля молодежи. Такой же по размеру, но с несколько измененным дизайном — в виде книги с открывающейся крышкой-обложкой — 'Фестиваль' в отличие от заокеанского прототипа имел питание от солнечных батарей. Идея придать приемнику вид книги принадлежала самому А.И., который настолько благоговел перед этим воплощенным Знанием, что иногда доходило до курьезов. Заказав через несколько лет большой набор инструментов, он тоже попросил придать его ящику вид книжки. Оказалось это крайне непрактичным, поскольку ящик не мог стоять на своем округлом боку.
В одно время с 'Фестивалем' создавался и первый полупроводниковый телевизор 'Спутник', в котором кроме электронно-лучевой трубки не было ни одной вакуумной лампы. При ежедневной пятичасовой работе он потреблял электроэнергии, по крайней мере, в 20 раз меньше, чем обычный ламповый телевизор!
Полупроводниковая отрасль успела сделать только первые шаги, когда над радиоэлектроникой, точнее над системой управления ею, надвинулась угроза в виде совнархозов. 11 ноября 1957 года дошла очередь и до Министерства радиотехнической промышленности. Его заводы были переданы в подчинение по территориальному принципу местным совнархозам, а само министерство преобразовано в Государственный комитет Совета Министров СССР по радиоэлектронике. В задачи нового ведомства входило проведение единой технической политики в области прикладных исследований и разработки новых типов приборов и аппаратуры. Для их решения в подчинении госкомитету были оставлены научно- исследовательские институты и конструкторские бюро.
Отметим, что в названии комитета впервые появилось слово 'электроника', хотя и в связке с 'радио'. Безусловно, такое изменение в названии было отражением возрастания роли электроники в стране и возрастанием понимания этого в высшем руководстве. С другой стороны как бы подчеркивалось, что в электронных компонентах нуждалась не только радиотехническая, но и другие отрасли военной промышленности: авиационная, судостроительная, оборонная и ракетная. Что же касается 'радио', то В. Д. Калмыкову после реорганизации удалось воплотить свои устремления по концентрации в своем ведомстве большинства радиотехнических и радиолокационных институтов и КБ. Сюда попали и КБ-1, и НИИ-10, и прочие. Теперь предприятия ГКРЭ выступали в качестве головных при создании зенитно-ракетных комплексов разного назначения и для войск ПВО страны, и для сухопутных войск и для флота.
В отличие от комитетов сороковых годов новым Госкомитетам при взаимодействии с промышленностью приходилось теперь иметь дело не с ограниченным числом наркоматов или министерств, а с бесчисленными совнархозами, руководители которых были страшно далеки от забот по внедрению новейшей техникИ. Многие талантливые, знающие сотрудники аппаратов министерств были едва ли не сосланы на работу в совнархозы. Одним из последних актов этого погрома, учиненного Хрущевым среди руководителей народного хозяйства, стал носивший уже характер фарса перевод Министерства сельского хозяйства из Москвы на территорию подмосковного совхоза Горки-Ленинские. А.И., как и многие другие руководители советской промышленности прекрасно видел пороки новой системы управления. Может быть, для угольной промышленности она и подходила, но только не для наукоемкой оборонки. Некоторые наиболее храбрые, принципиальные и авторитетные выступили против, за что и поплатились. Одной из жертв той 'перестройки' стал И. Ф. Тевосян. Освобожденный за строптивость от обязанностей зампредсовмина СССР, он был услан послом в Японию, вскоре там заболел и скончался в Кремлевской больнице. В эти годы как-то сразу ушли из жизни В. А. Малышев, А. П. Завенягин, Б. Л. Ванников.
Полупроводниками, несмотря на всю их важность, появление новых электронных компонентов не исчерпывалось. На базе новой отечественной технологии был предложен состав металлоокисного проводящего слоя с более высоким удельным сопротивлением и были созданы отечественные ультравысокочастотные сопротивления типа МОУ и ряд других. Огромное распространение в радиоэлектронике получили ферриты: в антенно-фидерных трактах СВЧ, в параметрических усилителях, колебательных контурах радиоаппаратуры, и т. д. Особо нужно отметить использование ферритов с прямоугольной петлей гистерезиса в ячейках магнитной памяти ЭВМ, заменившей громоздкие блоки на специальных электронно-лучевых трубках — потенциалоскопах.
Кстати, первые в СССР трубки такого типа были разработаны в 1953 году именно для работы в оперативных запоминающих устройствах цифровых электронных вычислительных машин, но в отличие от зарубежной техники, шедшей по пути создания потенциалоскопов универсального назначения, в СССР
