Большая Советская Энциклопедия (ТИ)

высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. как комбинацию двух транзисторов (T₁ и Т₂ ), включенных навстречу друг другу (рис. 3 ). Крайние области монокристалла являются эмиттерами (р -слой называется анодным эмиттером, n -слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др. транзистора. Ток i , протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера i _э1 и током второго эмиттера i _э2 . Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов i _к1 и i _к2 , равных соответственно a₁ i _э1 и a₂ i _э2 , где «a₁ и a₂ — коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T₁ и Т₂ ; кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода i _кo (так называемый обратный ток). Таким образом i = a₁ i _э1 + a₂ i _э2 + i _кo . С учётом i _э1 = i _э2 = i имеем  . При малых токах a₁ и a₂ значительно меньше 1 (и их сумма также меньше 1). С увеличением тока a₁ и a₂ растут, что ведёт к возрастанию i. Когда он достигает значения, называется током включения I _вк , сумма a₁ +a₂ становится приблизительно равной 1, и ток скачком возрастает до величины, ограничиваемой сопротивлением нагрузки (точка В на рис. 2 ). Всякий Т. характеризуется предельно допустимым значением прямого тока I _пред (точка Г на рис. 2 ), при котором на приборе будет небольшое остаточное напряжение U _ocт . Если же уменьшать ток через Т., то при некотором его значении, называется удерживающим током I _yд (точка Б на рис. 2 ), Т. запирается — переходит в состояние с низкой проводимостью, соответствующее участку ОА на ВАХ. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода .

  Описанный способ включения Т. (повышением напряжения между его СЭ) применяют в Т., называется вентилями-переключателями (реже неуправляемыми Т., или динисторами). Однако преимущественное распространение получили Т., включаемые подачей в цепь УЭ импульса тока определённой величины и длительности при положительной разности потенциалов между анодом и катодом (обычно их называют управляемыми вентилями или Т.). Особую группу составляют фототиристоры , перевод которых в состояние с высокой проводимостью осуществляется световым воздействием. Выключение Т. производят либо снижением тока через Т. до значения I _yд , либо изменением полярности напряжения на его СЭ.

  В соответствии с назначением различают Т. с односторонней проводимостью, с двухсторонней проводимостью (симметричные), быстродействующие, высокочастотные, импульсные, двухоперационные и специальные.

  Полупроводниковый элемент Т. изготовляют из кремниевых монокристаллических дисков (пластин), вводя в Si добавки В, Al и Р. При этом в основном используют диффузионную и сплавную технологию. Конструктивно Т. выполняют (рис. 4 ) в герметичном корпусе; для обеспечения механической прочности и устранения тепловых напряжений, возникающих из-за различия коэффициентов расширения Si и Cu (материал электродов), между кристаллом и электродами устанавливают термокомпенсирующие вольфрамовые или молибденовые диски. Различают Т. штыревой конструкции — в металлических и металлокерамических корпусах, прижимные (с отводом тепла с одной стороны Т.) и таблеточные (с двухсторонним отводом тепла). Основные конструкции Т. — таблеточная