Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

CS#	I	Chip Select — разрешение декодирования команд (низким уровнем). При высоком уровне новые команды не декодируются, но выполнение начатых продолжается
RAS#, CAS#, WE#	I	Row Address Strobe, Column Address Strobe, Write Enable — сигналы, определяющие операцию (код команды)
BS0, BS1 или BA0, BA1	I	Bank Selects или Bank Address — выбор банка, к которому адресуется команда
А[0:12]	I	Address — мультиплексированная шина адреса. В циклах Bank Activate определяют адрес строки. В циклах Read/Write линии A[0:9] и А11 задают адрес столбца. Линия А10 в циклах Read/Write включает режим автопредзаряда (при А10=1), в цикле Precharge A10=1 задает предзаряд всех банков (независимо от BS0, BS1)
DQx	I/O	Data Input/Output — двунаправленные линии данных
DQM	I	Data Mask — маскирование данных. В цикле чтения высокий уровень переводит шину данных в высокоимпедансное состояние (действует через 2 такта). В цикле записи высокий уровень запрещает запись текущих данных, низкий — разрешает (действует без задержки)
VSS, VDD	–	Общий провод и питание ядра
VSSQ, VDDQ	–	Общий провод и питание выходных буферов. Изолированы от питания ядра для снижения помех

Данные для первой передачи пакета записи устанавливаются вместе с командой WR. Данные для остальных передач пакета передаются в следующих тактах. Первые данные пакета чтения появляются на шине через определенное количество тактов после команды. Это число, называемое CAS Latency (CL), определяется временем доступа T_CAC и тактовой частотой. Остальные данные пакета выдаются в последующих тактах. Временные диаграммы работы SDRAM приведены на рис. 7.6. Здесь показана команда записи WR, за которой следует команда чтения RD из той же страницы, предварительно открытой командой ACT. Далее страница закрывается командой PRE. Длина пакета 2, CL = 3.

Рис. 7.6. Временные диаграммы пакетных циклов SDRAM: А и В — данные для записи по адресу R0/C0 и R0/C0+1, С и D — данные, считанные по адресу R0/C1 и R0/C1 +1

Регенерация (цикл CBR с внутренним счетчиком адреса регенерируемой строки) выполняется по команде REF, которую можно вводить только при состоянии покоя (idle) всех банков.

Микросхемы SDRAM оптимизированы для пакетной передачи. У них при инициализации программируется длина пакета (burst length=1, 2, 4, 8 элементов), порядок адресов в пакете (wrap mode: interleave/linear — чередующийся/линейный) и операционный режим. Пакетный режим может включаться как для всех операций (normal), так и только для чтения (Multiple Burst with Single Write). Этот выбор позволяет оптимизировать память для работы либо с WB, либо с WT-кэшем.

Обратим внимание, что внутренний счетчик адреса работает по модулю, равному запрограммированной длине пакетного цикла (например, при burst length=4 он не позволяет перейти границу обычного четырехэлементного пакетного цикла).

Пакетные циклы могут прерываться (принудительно завершаться) последующими командами. При этом оставшиеся адреса отбрасываются, и прерывающий пакет будет иметь полную длину (если его самого не прервут).

В команде Write имеется возможность блокирования записи данных любого элемента пакета — для этого достаточно в его такте установить высокий уровень сигнала DQM. Этот же сигнал используется и для перевода в высокоимпедансное состояния буферов данных при операции чтения.

Микросхемы SDRAM имеют средства энергосбережения, для управления ими используется вход разрешения синхронизации CKE.

В режиме саморегенерации (Self Refresh) микросхемы периодически выполняют циклы регенерации по внутреннему таймеру и не реагируют на внешние сигналы, поэтому внешняя синхронизация может быть остановлена.

Режимы пониженного потребления (Power Down Mode) устанавливаются при переводе CKE в низкий уровень командой NOP или INHBT. В этих режимах микросхема не воспринимает команд. Поскольку в данных режимах регенерация не выполняется, длительность пребывания в них ограничена периодом регенерации.

Если во время выполнения команды чтения или записи установить CKE=L, то микросхема перейдет в режим Clock Suspend Mode, в котором «замораживается» внутренняя синхронизация (нет продвижения данных) и не воспринимаются новые команды.

Для памяти SDRAM ключевыми параметрами являются:

♦ допустимая тактовая частота;

♦ CL (Cas Latency) — число скрытых тактов (2 или 3);

♦ T_RCD — задержка RAS-CAS, выраженная в тактах (2 или 3);

♦ T_RP — время предварительного заряда RAS;

♦ T_RC — минимальное время цикла обращений к строкам одного банка;