SCL Serial Presence Detect Clock синхронизация интерфейса идентификации I²C SDA Serial Presence Detect Data — данные интерфейса идентификации I²C SA[0:2] Serial Presence Detect Address — адрес модуля в интерфейсе I²C, задается коммутацией выводов гнезд для модулей на уровни логических «0» и «1» WP Write Protect — защита записи в EEPROM VCC Power — питание (+5 или +3,3 В) VSS Ground — общий провод NC No Connect — неиспользуемый (свободный) контакт DU Don't Use — запрещенный к использованию контакт Специфические сигналы SDRAM DQMB0-DQMB7 Data Mash Byte — маски байт (синхронизируются по фронту CK). Высокий уровень во время операции чтения переводит выходные буферы соответствующего байта в высокоимпедансное состояние с задержкой на 2 такта, операция записи блокируется без задержки S0#, S1#, S2#, S3# Select — разрешение (низким уровнем) декодирования команд микросхемами SDRAM соответствующих банков. При высоком уровне новые команды игнорируются, но выполнение предыдущей не прерывается CK[0:3] Clock Inputs — тактовые импульсы системной шины, положительный перепад синхронизируют все входные сигналы (кроме CKE) CKE0, CKE1 Clock Enables — разрешение синхронизации (высокий уровень) для банков микросхем. Низкий уровень переводит в режим пониженного потребления или саморегенерации A[0:9], А[11:13] A10/АР Address Inputs, Address Input 10/Autoprecharge — в цикле команды активации банка А[0:13] определяют адрес строки (по подъему CK). В цикле команды чтения или записи А [0:8] определяют адрес столбца, АР используется для указания (высоким уровнем) на операцию автопредзаряда (autoprecharge) банка А (BA0=0) или В (BA1=1) по окончании текущего пакетного цикла. В цикле команды предзаряда при высоком уровне АР предзаряд осуществляется в обоих банках, при низком — только в банке, определяемом линией BA0 BA0, BA1 SDRAM Bank Address — выбор внутреннего банка микросхемы SDRAM (использует линии, назначенные на адреса А11, A12 модулей DRAM) REGE Register Enable — разрешение синхронной работы регистров управляющих и адресных сигналов. При высоком уровне регистр защелкивает сигналы по фронту CK, а микросхемы памяти зафиксируют эти значения в следующем такте. При низком уровне регистр работает в режиме буфера (допустимо лишь для 66 МГц) Дополнительные сигналы модулей DOR SDRAM DQS[0:17] Двунаправленные стробы данных, формируемые источником CK# Инверсный вход синхронизации (пара к CK) VREF Вход опорного напряжения интерфейса SSTL_2 RESET# Вход асинхронного сброса регистра
Добавить отзыв
ВСЕ ОТЗЫВЫ О КНИГЕ В ИЗБРАННОЕ

0

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Отметить Добавить цитату