VPP напряжения программирования, которое для различных типов EPROM лежит в диапазоне 12–26 В (обычно указывается на корпусе микросхемы). Комбинации управляющих сигналов, формирующие импульсы записи для EPROM разной емкости, различны. При напряжении на входе VPP 5 В и ниже модификация памяти (запись) невозможна ни при каких комбинациях управляющих сигналов, и микросхемы работают строго в режиме ROM. Этот режим и используется для микросхем BIOS, так что никакой вирус им не страшен.
В PC чаще всего применяют микросхемы EPROM в корпусах DIP и PLCC (табл. 7.21), расположение выводов популярных микросхем приведено на рис. 7.18 и 7.19.
Рис. 7.18. Расположение выводов микросхем EPROM в корпусах DIP:
Рис. 7.19. Расположение выводов микросхем EPROM в корпусах TSOP и PLCC:
Таблица 7.21. Популярные микросхемы EPROM
| Микросхема и организация | Корпус | Рисунок | Примечание |
|---|---|---|---|
| 2716 — 2 К×8 | DIP-24 | 7.18, | 20 = ОЕ#; 21 = Vpp |
| 2732 — 4 К×8 | DIP-24 | 7.18, | 20 = OE#/Vpp, 21=A11 |
| 2764 — 8 К×8 | DIP-28 | 7.18, | 1 = Vpp, 22 = OE#; 26 = NC, 27 = PGM# |
| 27128 — 16 К×8 | DIP-28 | 7.18, | 1 = Vpp, 22 = OE#; 26 = A13, 27 = PGM# |
| 27256 — 32 К×8 | DIP-28 | 7.18, | 1 = Vpp, 22 = OE#; 26 = A13, 27 = A14 |
| 27512 — 64 К×8 | DIP-28 | 7.18, | 1 = A15, 22 = OE#/Vpp, 26 = A13, 27 = A14 |
| 27010 — 128 К×8 | DIP-32 | 7.18, | 30 = NC |
| 27010 — 128 К×8 | TSOP-32 | 7.19, | 6 = NC |
| 27010 — 128 К×8 | PLCC-32 | 7.19, | 30 = NC |
| 27020 — 256 К×8 | DIP-32 | 7.18, | - |
| 27020 — 256 К×8 | TSOP-32 | 7.19, | - |
| 27020 — 256 К×8 | PLCC-32 | 7.19, | - |
Назначение выводов микросхем EPROM приведено в табл. 7.22.
