Аппаратные интерфейсы ПК. Энциклопедия

цикла программирования длительностью 10 мкс с последующей верификацией. В случае несовпадения результата выполняется повторное программирование (до 25 раз для каждой ячейки), а если и это не помогает — фиксируется отказ микросхемы.

♦ Reset — команда сброса, прерывающая команду программирования или стирания. Эта команда не меняет содержимое памяти; после нее требуется подача другой действительной команды.

По включении питания внутренний регистр команд обнуляется, что соответствует команде чтения, и микросхема работает как обычная микросхема PROM или EPROM. Это позволяет устанавливать микросхемы флэш-памяти вместо EPROM аналогичной емкости. При подаче на вход V_PP низкого напряжения (0–6,5 В) стирание и программирование невозможны, и микросхема ведет себя как обычная EPROM.

Микросхемы второго поколения секторированы — ячейки группируются в блоки, допускающие независимое стирание (асимметричное разбиение — Boot Block и симметричное — Flash File). Длительная операция стирания одного блока может прерываться для считывания данных других блоков, что значительно повышает гибкость и производительность устройства. Микросхемы имеют более сложный внутренний управляющий автомат и в них введен регистр состояния, что позволяет разгрузить внешний процессор и программу от забот по отслеживанию длительности операций программирования и стирания, а также упростить эти процедуры.

В отличие от микросхем первого поколения, в шинном цикле записи адрес и данные фиксируются по положительному перепаду WE#. Низкий уровень дополнительного управляющего сигнала RP# (в первых версиях обозначался как PWD#) предназначен для перевода микросхемы в режим с минимальным потреблением. В этом режиме модификация содержимого памяти невозможна. Соединение этого вывода в нормальном режиме (когда не требуется перезапись Boot-блока) с системным сигналом RESET# предохраняет микросхему от выполнения ложных команд, которые могут появиться в процессе подачи питания.

Внутренние операции стирания и программирования выполняются после посылки соответствующих кодов во внутренний регистр команд. Команды приведены в табл. 7.26. Как и в первом поколении, этот регистр для большинства команд безадресный, но команды программирования и стирания посылаются по требуемому адресу ячейки (блока). Отработка операций внутренним управляющим автоматом отображается соответствующими битами регистра состояния SR (Status Register), по значению которых внешняя программа может получить информацию о результате выполнения и возможности посылки следующих команд. Чтение регистра SR выполняется по специальной команде; есть и команда его очистки. Назначение бит регистра состояния описано ниже.

♦ SR.7 — WSMS (Write State Machine Status) — состояние управляющего автомата:

 • 0 — Busy (занят операцией стирания или программирования);

 • 1 — Ready (свободен).

♦ SR.6 — ESS (Erase Suspend Status) — состояние операции стирания:

 • 0 — стирание завершено или выполняется;

 • 1 — стирание приостановлено.

♦ SR.5 — ES (Erase Status) — результат стирания блока:

 • 0 — блок стерт успешно;

 • 1 — ошибка стирания.

♦ SR.4 — PS (Program Status) — результат программирования байта:

 • 0 — байт записан успешно;

 • 1 — ошибка записи.

♦ SR.3 — VPPS (V_PP Status) — состояние V_PP во время программирования или стирания:

 • 0 — напряжение было в норме;

 • 1 — зафиксировано понижение напряжения, и операция прервана.

♦ SR[2:0] — зарезервированы.

Таблица 7.26. Команды микросхем флэш-памяти Intel второго поколения

Команда	Число циклов шины	Первый цикл шины¹			Второй (третий) цикл шины¹
		R/W	Адрес	Данные	R/W	Адрес	Данные
Read Array/Reset	1	W	X	FFh	-	-	_
Read ID (D_Id)	3	W	X	90h	R	0(1)	M_Id
Read Status Register	2	W	X	70h	R	X