управления.
Председатель Государственного Комитета
О возрастании значения радиоэлектроники для народного хозяйства, особенно в связи с появлением полупроводниковых приборов, было заявлено на внеочередном XXI съезде КПСС (27.01–02.59) при утверждении контрольных цифр развития народного хозяйства на 'семилетку' 1959–1965 годов. А.И. присутствовал на этом съезде с гостевым билетом. В выступлении первого заместителя Председателя Совета Министров СССР Ф. Р. Козлова, члена Президиума ЦК КПСС (орган, аналогичный Политбюро) было отмечено, что полупроводники позволяют 'значительно сократить потребление электроэнергии, сэкономить дорогостоящие цветные металлы и материалы, уменьшить размер аппаратуры и ее вес, повысить надежность, срок службы и снизить эксплуатационные расходы'. В принятом семилетнем плане было намечено значительно расширить действующие и построить новые предприятия полупроводниковой промышленности. Именно в 1959 году были основаны такие заводы полупроводниковых приборов, как Александровский, Брянский, Воронежский.
Совет Министров СССР в развитие решений съезда выпустил постановление 'О мерах по увеличению производства, расширению ассортимента и улучшению качества товаров культурно-бытового назначения и хозяйственного обихода'. Принятое в октябре 1959 года, оно предусматривало среди прочего увеличение выпуска радиоприемников, радиол, телевизоров и магнитофонов с применением печатных схем и полупроводников.
Переход на полупроводниковую технику позволял во много раз увеличить вычислительные мощности и надежность ЭВМ, открывал возможность их широкого внедрения в системы автоматизированного управления, чему был посвящен упоминавшийся Пленум ЦК КПСС в июне 1959 года.
И все же принимаемые меры оказывались недостаточными — мировой прогресс полупроводниковой техники шел так быстро, что, несмотря на предпринимавшиеся ГКРЭ усилия, наметилось угрожающее отставание и по количеству, а главное и по качеству радиоэлектронной аппаратуры.
Серьезный шаг в развитии полупроводниковой электроники был сделан в США в 1954 году, когда фирма Texas Instrument Inc. объявила о выпуске первого транзистора, изготовленного из кремния. Переход на этот материал, имеющий температуру плавления 1420 °C, позволял создавать транзисторы с гораздо более широким диапазоном рабочих температур, чем германий, что имело чрезвычайно важное значение для военных. Кроме того, по сравнению с приборами из германия, кремниевый транзистор мог обеспечивать гораздо большую мощность.
Исключительно важную роль в развитии электроники в конце пятидесятых годов сыграла также разработка и последовавшее быстрое распространение так называемой планарной технологии и внедрение групповых методов их изготовления. Произошло резкое снижение себестоимости полупроводниковых приборов. Американцы быстро поняли, что сулит помещение денег в новую высокотехнологичную отрасль техники. В 1960 году разработкой и производством полупроводниковых приборов в США занималось уже более шестидесяти фирм, и число их росло как снежный ком.
Еще более революционным было появившееся в конце 1959 года сообщение американского инженера Килби из фирмы Texas Instrument о создании в одном кристалле кремния нескольких транзисторов и резисторов. Килби начал создавать конструкцию триггера, изготовленного на одном кусочке монолитного германия в начале октября 1958 года, закончил его изготовление в начале 1959 года, и 'твердая схема' была представлена на выставке института радиоинженеров в марте 1960 года. Однако уже к февралю 1960 года фирма Fairchild Semiconductor объявила о начале испытаний на долговечность 'большого числа' своих интегральных схем серии Micrologic, изготовленных из кремния.
Революционная суть этих достижений состояла в том, что сборка электронного оборудования представляла собой трудоемкий, занимающий много времени процесс, который замедлялся еще сильнее все возраставшей сложностью схем. Суммарное число переключающих приборов в цифровом оборудовании, в особенности в компьютерах, увеличилось во много раз. Например, компьютер типа CD1604, выпущенный в 1960 году фирмой Control Data Corp., содержал около 1000 тысяч диодов и 25 тысяч транзисторов. Существовал спрос на функциональные возможности, но не было средств, чтобы ускорить изготовление готового оборудования.
Новая технология позволила приспособиться к растущей сложности схем путем исключения соединений между их дискретными элементами. Поэтому изобретение интегральных схем, дающих возможность получать в едином технологическом цикле, используя только полупроводниковую технологию, функционально законченное электронное устройство, было насущным требованием.
Достижения физики твердого тела в сочетании с планарной технологией открывали захватывающую перспективу нового резкого уменьшения размеров радиоэлектронного оборудования, увеличения его надежности. Делалось возможным сосредоточить внутри полупроводникового кристалла размером всего лишь в несколько миллиметров целое электронное изделие с законченными функциями. Например, с такими же, как у громадного механического центрального автомата стрельбы ПУАЗО, хорошо знакомого А.И. в молодые годы.
В традиционном направлении развития электроники — в освоении все более высоких частот — тоже был совершен прорыв. Твердотельная электроника осваивала все новые диапазоны — сантиметровый, миллиметровый — и, наконец, этот процесс привел к созданию в 1960 году в США генератора излучения видимого диапазона электромагнитных волн — лазера.
Помимо чисто научных и технических сложностей по преодолению этого вновь наметившегося отрыва в реальной советской жизни эта объективная картина дополнялась характерными организационными сложностями: в электронных компонентах нуждались все оборонные и приборостроительные отрасли, а занималась ими по-настоящему только одна, да еще имевшая к тому же собственные задачи по разработке комплексов радиоаппаратуры. С одной стороны предпочтение собственных нужд было делом естественным, а с другой такой расклад позволял смежникам при необходимости списывать свои провалы на ГКРЭ, обвиняя последний в развитии элементной базы в первую очередь для собственных целей (даже если в конкретной ситуации этого не было!).
Объективно положение с элементной базой было все же неудовлетворительным, а появление интегральной электроники — задачи для нашей страны многим представлявшейся не решаемой — еще более усугубляло положение.
Пора было предпринимать решительные действия. Все эти обстоятельства: и объективные, и субъективные послужили почвой для созревания идеи выделения из ГКРЭ и сосредоточение в самостоятельном ведомстве направления работ по созданию новых, а особенно интегральных, электронных компонентов. Говорят, что толчком послужило письмо генеральных и главных конструкторов военной техники с таким требованием и доводами в его пользу. В. Д. Калмыкова, опытнейшего системщика, погруженного в проблемы создания систем радиоэлектронного вооружения, не очень интересовали все эти технологические и материаловедческие сложности электронной техники. В осторожном характере Валерия Дмитриевича была по-видимому заложена и еще одна причина поддержки выделения компонентного направления: он с опаской смотрел на наличие столь сильного первого зама.
Хотя сам А.И. оставался последовательным противником решения о выделении электронной техники в самостоятельное ведомство, считая нецелесообразным проведение границы между компонентами и аппаратурой, но идея разделения ГКРЭ уже овладела массами руководителей, принимавших решения, и в начале 1961 года решение было принято окончательно. Следует подчеркнуть, что в тот момент речь шла не о промышленности, а только об отраслевой науке и разработке новой техники.
По непроверенным сведениям занимался этим вопросом А. Н. Косыгин, бывший тогда первым заместителем председателя Совета Министров СССР. Председателем был Хрущев, совмещавший эту должность с постом Председателя Президиума ЦК КПСС, поэтому Алексей Николаевич был уже в ту пору повседневным главой правительства. На его вопрос, кого можно рекомендовать на должность председателя будущего Государственного комитета по электронной технике Калмыков назвал А.И. Впрочем, все: и друзья А.И. и его недруги понимали, что другой кандидатуры при таком решении нет. Поэтому, когда А.И.,
