Модули памяти применяются и в принтерах (лазерных) — DIMM-168, 100-Pin DIMM, AIMM, SO DIMM- 144, но иногда для них требуются и специальные модули (по конструктиву или параметрам).

Современные модули памяти имеют шину данных разрядностью 1, 4 или 8 байт. Кроме основных информационных бит, модули могут иметь дополнительные контрольные биты с различной организацией.

♦ Модули без контрольных бит (non Parity) имеют разрядность 8, 32 или 64 бита и допускают независимое побайтное обращение с помощью отдельных для каждого байта линий CAS#.

♦ Модули с контролем паритета (Parity) имеют разрядность 9, 36 или 72 бита и также допускают независимое побайтное обращение, контрольные биты по обращению приписаны к соответствующим байтам.

♦ Модули с генератором паритета (Fake Parity, Parity Generator, Logical Parity) так же допускают независимое побайтное обращение, логические генераторы паритета по чтению приписаны к соответствующим байтам. Действительного контроля памяти они не обеспечивают.

♦ Модули с контролем по схеме ЕСС имеют разрядность 36, 40, 72 или 80 бит. Обычно они допускают побайтное обращение к информационным битам, но контрольные биты у них привязаны к одному или нескольким сигналам CAS#, поскольку ЕСС подразумевает обращение сразу к целому слову.

♦ ECC-Optimized — модули, оптимизированные под режим ЕСС. От обычных модулей ЕСС они отличаются тем, что могут не обеспечивать побайтное обращение к информационным битам.

ECC-on-Simm (EOS) — модули со встроенной схемой исправления ошибок. Каждый байт модуля имеет встроенные средства контроля и исправления ошибок, работающие прозрачно. Для системы модули функционируют как обычные паритетные — в случае обнаружения неисправимой ошибки они генерируют ошибочный бит паритета. Эти модули обеспечивают отказоустойчивость по памяти (Kill Protected Memory) для системных плат, поддерживающих только контроль паритета. По «благородству» поведения (делают больше, чем «говорят») они являются прямой противоположностью модулям с генератором паритета.

Набор сигналов модуля SIMM в основном совпадает с сигналами одиночных микросхем динамической памяти. Основные характеристики распространенных модулей приведены в табл. 7.5, более подробное описание — в следующих разделах.

Таблица 7.5. Основные характеристики модулей памяти

Модуль Разрядность¹, бит Объем, Мбайт Тип Питание, В Спецификация
SIMM-30, SIPP 8 (9) 0,25-4 FPM, EDO 5 60, 70, 80 нс
SIMM-72 32 (36) 1-32 FPM, EDO, BEDO 5 50, 60, 70 нс
DIMM-168-I 64 (72,80) 8-256 FPM, EDO 5 50, 60, 70 нс
DIMM-168-II 64 (72, 80) 8-512 FPM, EDO 5, 3,3 50, 60, 70 нс
DIMM-168-II 64 (72, 80) 8-1024 SDRAM 3,3 PC66, РС100, PC133
DIMM-184 64 (72, 80) 128, 256… DDR SDRAM 2,5 PC1600, PC2100
AIMM 32 4 SDRAM 3,3 166 МГц
Добавить отзыв
ВСЕ ОТЗЫВЫ О КНИГЕ В ИЗБРАННОЕ

0

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста, которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Отметить Добавить цитату